DG441DY-T1-E3 ანალოგური გადამრთველის ინტეგრირებული სქემები QUAD SPST ანალოგური გადამრთველი
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | ვიშაი |
| პროდუქტის კატეგორია: | ანალოგური გადამრთველის ინტეგრირებული სქემები |
| RoHS: | დეტალები |
| მონტაჟის სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი/ქეისი: | SOIC-16 |
| არხების რაოდენობა: | 4 არხი |
| კონფიგურაცია: | 4 x SPST |
| წინააღმდეგობის დროს - მაქს.: | 85 ომსი |
| მიწოდების ძაბვა - მინ: | 13 ვოლტი |
| მიწოდების ძაბვა - მაქს.: | 36 ვოლტი |
| მინიმალური ორმაგი კვების ძაბვა: | +/- 15 ვოლტი |
| მაქსიმალური ორმაგი კვების ძაბვა: | +/- 15 ვოლტი |
| დროულად - მაქს.: | 250 ნს |
| გამორთვის დრო - მაქს.: | 120 ნს |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 40°C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 85 გრადუსი ცელსიუსი |
| სერია: | DG |
| შეფუთვა: | რულონი |
| შეფუთვა: | ლენტის გაჭრა |
| შეფუთვა: | მაუსის რგოლი |
| ბრენდი: | ვიშაი / სილიკონიქსი |
| სიმაღლე: | 1.55 მმ |
| სიგრძე: | 10 მმ |
| Pd - სიმძლავრის გაფრქვევა: | 900 მვტ |
| პროდუქტის ტიპი: | ანალოგური გადამრთველის ინტეგრირებული სქემები |
| ქარხნული შეფუთვის რაოდენობა: | 2500 |
| ქვეკატეგორია: | გადამრთველის ინტეგრირებული სქემები |
| მიწოდების დენი - მაქს.: | 100 uA |
| მიწოდების ტიპი: | ერთჯერადი მიწოდება, ორმაგი მიწოდება |
| უწყვეტი დენის გადართვა: | 30 mA |
| სიგანე: | 4 მმ |
| ნაწილი # ფსევდონიმები: | DG441DY-E3 |
| ერთეულის წონა: | 666 მგ |
♠ Quad SPST CMOS ანალოგური გადამრთველები
DG441, DG442 მონოლითური ოთხმაგი ანალოგური გადამრთველები შექმნილია ანალოგური და აუდიო სიგნალების მაღალი სიჩქარითა და დაბალი შეცდომით გადართვის უზრუნველსაყოფად. DG441-ს აქვს ნორმალურად დახურული ფუნქცია. DG442-ს აქვს ნორმალურად ღია ფუნქცია. დაბალი ჩართვის წინაღობის (ტიპურად 50 Ω) და მაღალი სიჩქარის (ტიპურად tON 150 ns) შერწყმით, DG441, DG442 იდეალურია DG201A/202 სოკეტების განახლებისთვის. მუხტის ინექცია მინიმუმამდეა დაყვანილი დრენაჟზე, რათა გამოყენებულ იქნას ნიმუშის აღების და შენარჩუნების სქემებში.
მაღალი ძაბვისა და შესანიშნავი გადართვის მუშაობის მისაღწევად, DG441 და DG442 მოდელები აგებულია Vishay Siliconix-ის მაღალი ძაბვის სილიკონის კარიბჭის პროცესზე. ეპიტაქსიალური ფენა ხელს უშლის ჩაკეტვას.
ჩართულია, თითოეული გადამრთველი ორივე მიმართულებით თანაბრად კარგად ატარებს ძაბვებს და გამორთულია, ბლოკავს შეყვანის ძაბვებს კვების დონეებამდე.
• ჰალოგენებისგან თავისუფალი IEC 61249-2-21 განმარტების შესაბამისად
• დაბალი ჩართვის წინაღობა: 50 Ω
• დაბალი გაჟონვა: 80 პა
• დაბალი ენერგომოხმარება: 0.2 მვტ
• სწრაფი გადართვის მოქმედება – tON: 150 ns
• დაბალი დამუხტვის ინექცია – Q: – 1 pC
• DG201A/DG202 განახლებები
• TTL/CMOS-თან თავსებადი ლოგიკა
• ერთიანი მიწოდების შესაძლებლობა
• შეესაბამება RoHS დირექტივას 2002/95/EC
• აუდიო გადართვა
• ბატარეაზე მომუშავე სისტემები
• მონაცემთა შეგროვება
• Hi-Rel სისტემები
• ნიმუშის აღების და შენარჩუნების სქემები
• საკომუნიკაციო სისტემები
• ავტომატური სატესტო აღჭურვილობა
• სამედიცინო ინსტრუმენტები
