FDD86102LZ MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Მოკლე აღწერა:

მწარმოებლები: ON Semiconductor
პროდუქტის კატეგორია: ტრანზისტორები – FET, MOSFET – ერთჯერადი
Მონაცემთა ფურცელი:FDD86102LZ
აღწერა: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
RoHS სტატუსი: RoHS შესაბამისი


პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

♠ პროდუქტის აღწერა

პროდუქტის ატრიბუტი ვაჟკაცობა
ფაბრიკანტე: ონსემი
პროდუქტის კატეგორია: MOSFET
RoHS: დეტალები
ტექნოლოგია: Si
Estilo de Montaje: SMD/SMT
პაკეტი / კუბიერტა: DPAK-3
პოლარიდად დელ ტრანზისტორი: N-არხი
Número de canales: 1 არხი
Vds - დაძაბულობის დარღვევა entre drenaje y fuente: 100 ვ
ID - Corriente de drenaje გაგრძელება: 42 ა
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 31 mOhms
Vgs - Tensión entre Puerta y Fuente: - 20 ვ, + 20 ვ
Vgs th - Tensión umbral entre Puerta y Fuente: 1 ვ
Qg - Carga de Puerta: 26 nC
მინიმალური ტემპერატურა: - 55 C
მაქსიმალური ტემპერატურა: + 150 C
Dp - Disipación de Potencia: 54 ვ
მოდო არხი: გაძლიერება
ნომინალური კომერციული: PowerTrench
Empaquetado: რგოლი
Empaquetado: გაჭრა ლენტი
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
კონფიგურაცია: Მარტოხელა
Transconductancia hacia delante - მინ.: 31 ს
ალტურა: 2,39 მმ
გრძედი: 6,73 მმ
პროდუქტის ტიპი: MOSFET
სერია: FDD86102LZ
Cantidad de Empaque de Fábrica: 2500
ქვეკატეგორია: MOSFET-ები
ტრანზისტორის ტიპი: 1 N-არხი
ანჩო: 6.22 მმ
პესო დე ლა უნიდადი: 0.011640 უნცია

  • წინა:
  • შემდეგი:

  • მსგავსი პროდუქტები