MGSF1N03LT1G MOSFET 30V 2.1A N-არხი
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | ონსემი |
| Პროდუქტის კატეგორია: | MOSFET |
| ტექნოლოგია: | Si |
| დამონტაჟების სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი / ქეისი: | SOT-23-3 |
| ტრანზისტორის პოლარობა: | N-არხი |
| არხების რაოდენობა: | 1 არხი |
| Vds - გადინების წყაროს დაშლის ძაბვა: | 30 ვ |
| ID - უწყვეტი გადინების დენი: | 2.1 ა |
| Rds ჩართულია - გადინების წყაროს წინააღმდეგობა: | 100 mOhms |
| Vgs - კარიბჭის წყაროს ძაბვა: | - 20 ვ, + 20 ვ |
| Vgs th - კარიბჭის წყაროს ბარიერი ძაბვა: | 1 ვ |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 55 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 150 C |
| Pd - დენის გაფრქვევა: | 690 მვტ |
| არხის რეჟიმი: | გაძლიერება |
| შეფუთვა: | რგოლი |
| შეფუთვა: | გაჭრა ლენტი |
| შეფუთვა: | MouseReel |
| ბრენდი: | ონსემი |
| კონფიგურაცია: | Მარტოხელა |
| შემოდგომის დრო: | 8 ns |
| სიმაღლე: | 0,94 მმ |
| სიგრძე: | 2,9 მმ |
| პროდუქტი: | MOSFET მცირე სიგნალი |
| Პროდუქტის ტიპი: | MOSFET |
| აწევის დრო: | 1 ნს |
| სერია: | MGSF1N03L |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 3000 |
| ქვეკატეგორია: | MOSFET-ები |
| ტრანზისტორი ტიპი: | 1 N-არხი |
| ტიპი: | MOSFET |
| ტიპიური გამორთვის შეფერხების დრო: | 16 წმ |
| ჩართვის დაყოვნების ტიპიური დრო: | 2.5 ns |
| სიგანე: | 1.3 მმ |
| Წონის ერთეული: | 0.000282 უნცია |
♠ MOSFET – ერთი, N-Channel, SOT-23 30 V, 2.1 A
ეს მინიატურული ზედაპირზე დამაგრებული MOSFET-ები დაბალი RDS(on) უზრუნველყოფს ენერგიის მინიმალურ დაკარგვას და დაზოგავს ენერგიას, რაც ამ მოწყობილობებს იდეალურს ხდის კოსმოსური ენერგიის მართვის სქემებში გამოსაყენებლად.ტიპიური აპლიკაციებია dc−dc კონვერტორები და ენერგიის მენეჯმენტი პორტატულ და ბატარეაზე მომუშავე პროდუქტებში, როგორიცაა კომპიუტერები, პრინტერები, PCMCIA ბარათები, ფიჭური და უკაბელო ტელეფონები.
• დაბალი RDS(on) უზრუნველყოფს უფრო მაღალ ეფექტურობას და ახანგრძლივებს ბატარეის ხანგრძლივობას
• მინიატურული SOT−23 Surface Mount Package ზოგავს ადგილს დაფაზე
• MV პრეფიქსი საავტომობილო და სხვა აპლიკაციებისთვის, რომლებიც საჭიროებენ უნიკალურ უბნისა და კონტროლის მოთხოვნებს;AEC−Q101 კვალიფიცირებული და PPAP უნარიანი
• ეს მოწყობილობები არ არის Pb−Free და შეესაბამება RoHS–ს
