NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | ონსემი |
| პროდუქტის კატეგორია: | MOSFET |
| RoHS: | დეტალები |
| ტექნოლოგია: | Si |
| მონტაჟის სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი / ქეისი: | SO-8FL-4 |
| ტრანზისტორის პოლარობა: | N-არხი |
| არხების რაოდენობა: | 1 არხი |
| Vds - დრენაჟის წყაროს გაწყვეტის ძაბვა: | 30 ვოლტი |
| Id - უწყვეტი გადინების დენი: | 52 ა |
| Rds ჩართულია - დრენაჟის წყაროს წინააღმდეგობა: | 4.73 მმ |
| Vgs - კარიბჭის წყაროს ძაბვა: | - 20 ვ, + 20 ვ |
| Vgs th - კარიბჭის წყაროს ზღურბლის ძაბვა: | 2.2 ვოლტი |
| Qg - კარიბჭის გადასახადი: | 22.2 ნც |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 55 გრადუსი ცელსიუსი |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 150°C |
| Pd - სიმძლავრის გაფრქვევა: | 6 W |
| არხის რეჟიმი: | გაუმჯობესება |
| შეფუთვა: | რულონი |
| შეფუთვა: | ლენტის გაჭრა |
| შეფუთვა: | მაუსის რგოლი |
| ბრენდი: | ონსემი |
| კონფიგურაცია: | მარტოხელა |
| პროდუქტის ტიპი: | MOSFET |
| სერია: | NTMFS4C028N |
| ქარხნული შეფუთვის რაოდენობა: | 1500 |
| ქვეკატეგორია: | MOSFET-ები |
| ერთეულის წონა: | 0.026455 უნცია |
• დაბალი RDS (ჩართული) გამტარობის დანაკარგების მინიმიზაციისთვის
• დაბალი ტევადობა მძღოლის დანაკარგების მინიმიზაციისთვის
• ოპტიმიზირებული კარიბჭის დამუხტვა გადართვის დანაკარგების მინიმიზაციისთვის
• ეს მოწყობილობები არ არის ტყვიის, ჰალოგენის/BFR-ის გარეშე და შეესაბამება RoHS სტანდარტს
• პროცესორის ენერგომომარაგება
• DC-DC გადამყვანები
