VNB35N07TR-E დენის გადამრთველი IC - დენის განაწილება OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | STMicroelectronics |
| Პროდუქტის კატეგორია: | დენის გადამრთველი IC - დენის განაწილება |
| ტიპი: | დაბალი მხარე |
| შედეგების რაოდენობა: | 1 გამომავალი |
| ამჟამინდელი ლიმიტი: | 35 ა |
| წინააღმდეგობის შესახებ - მაქს: | 28 mOhms |
| დროულად - მაქსიმუმ: | 200 ns |
| გამორთვის დრო - მაქს: | 1 ჩვენ |
| ოპერაციული მიწოდების ძაბვა: | 28 ვ |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 40 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 150 C |
| დამონტაჟების სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი / ქეისი: | D2PAK-3 |
| სერია: | VNB35N07-E |
| კვალიფიკაცია: | AEC-Q100 |
| შეფუთვა: | რგოლი |
| შეფუთვა: | გაჭრა ლენტი |
| შეფუთვა: | MouseReel |
| ბრენდი: | STMicroelectronics |
| ტენიანობის მგრძნობიარე: | დიახ |
| Pd - დენის გაფრქვევა: | 125000 მვტ |
| Პროდუქტის ტიპი: | დენის გადამრთველი IC - დენის განაწილება |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 1000 |
| ქვეკატეგორია: | IC-ების გადართვა |
| Წონის ერთეული: | 0.079014 უნცია |
♠ OMNIFET: სრულად ავტომატურად დაცული დენის MOSFET
VNP35N07-E, VNB35N07-E და VNV35N07-E არის მონოლითური მოწყობილობები, რომლებიც დამზადებულია STMicroelectronics VIPower® ტექნოლოგიის გამოყენებით, განკუთვნილია სტანდარტული სიმძლავრის MOSFET-ების ჩანაცვლებისთვის DC-დან 50 KHz-მდე აპლიკაციებში.
ჩამონტაჟებული თერმული გამორთვა, ხაზოვანი დენის შეზღუდვა და ძაბვის ზედმეტად დამჭერი იცავს ჩიპს მკაცრ გარემოში.
ხარვეზის გამოხმაურება შეიძლება გამოვლინდეს შეყვანის პინზე ძაბვის მონიტორინგით.
• ავტომობილების კვალიფიკაცია
• ხაზოვანი დენის შეზღუდვა
• თერმული გამორთვა
• მოკლე ჩართვის დაცვა
• ინტეგრირებული დამჭერი
• დაბალი დენი გამოყვანილია შეყვანის პინიდან
• დიაგნოსტიკური გამოხმაურება შეყვანის პინის საშუალებით
• ESD დაცვა
• პირდაპირი წვდომა Power MOSFET-ის კარიბჭესთან (ანალოგური მართვა)
• თავსებადია სტანდარტულ Power MOSFET-თან
• სტანდარტული TO-220 პაკეტი
• შეესაბამება 2002/95/EC ევროპულ დირექტივას
