CSD88537ND MOSFET 60-V ორმაგი N-არხიანი დენის MOSFET
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | Texas Instruments |
| Პროდუქტის კატეგორია: | MOSFET |
| RoHS: | დეტალები |
| ტექნოლოგია: | Si |
| დამონტაჟების სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი/ქეისი: | SOIC-8 |
| ტრანზისტორის პოლარობა: | N-არხი |
| არხების რაოდენობა: | 2 არხი |
| Vds - გადინების წყაროს დაშლის ძაბვა: | 60 ვ |
| ID - უწყვეტი გადინების დენი: | 16 ა |
| Rds ჩართულია - გადინების წყაროს წინააღმდეგობა: | 15 mOhms |
| Vgs - კარიბჭის წყაროს ძაბვა: | - 20 ვ, + 20 ვ |
| Vgs th - კარიბჭის წყაროს ბარიერი ძაბვა: | 2.6 ვ |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 55 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 150 C |
| Pd - დენის გაფრქვევა: | 2.1 ვტ |
| არხის რეჟიმი: | გაძლიერება |
| სავაჭრო სახელი: | NexFET |
| შეფუთვა: | რგოლი |
| შეფუთვა: | გაჭრა ლენტი |
| შეფუთვა: | MouseReel |
| ბრენდი: | Texas Instruments |
| კონფიგურაცია: | ორმაგი |
| შემოდგომის დრო: | 19 წმ |
| სიმაღლე: | 1,75 მმ |
| სიგრძე: | 4.9 მმ |
| Პროდუქტის ტიპი: | MOSFET |
| აწევის დრო: | 15 წმ |
| სერია: | CSD88537ND |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 2500 |
| ქვეკატეგორია: | MOSFET-ები |
| ტრანზისტორი ტიპი: | 2 N-არხი |
| ტიპიური გამორთვის შეფერხების დრო: | 5 ნს |
| ჩართვის დაყოვნების ტიპიური დრო: | 6 ns |
| სიგანე: | 3.9 მმ |
| Წონის ერთეული: | 74 მგ |
♠ CSD88537ND ორმაგი 60-V N-არხიანი NexFET™ დენის MOSFET
ეს ორმაგი SO-8, 60 V, 12,5 mΩ NexFET™ სიმძლავრის MOSFET შექმნილია იმისათვის, რომ იყოს ნახევარი ხიდი ძრავის დაბალი დენის მართვის აპლიკაციებში.
• Ultra-Low Qg და Qgd
• ზვავი რეიტინგი
• Pb უფასო
• RoHS შესაბამისი
• Ჰალოგენის გარეშე
• ნახევარი ხიდი საავტომობილო კონტროლისთვის
• სინქრონული Buck Converter
