FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ვაჟკაცობა |
| ფაბრიკანტე: | ონსემი |
| პროდუქტის კატეგორია: | MOSFET |
| RoHS: | დეტალები |
| ტექნოლოგია: | Si |
| Estilo de Montaje: | SMD/SMT |
| პაკეტი / კუბიერტა: | SSOT-3 |
| პოლარიდად დელ ტრანზისტორი: | N-არხი |
| Número de canales: | 1 არხი |
| Vds - დაძაბულობის დარღვევა entre drenaje y fuente: | 30 ვ |
| ID - Corriente de drenaje გაგრძელება: | 2.2 ა |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 mOhms |
| Vgs - Tensión entre Puerta y Fuente: | - 8 ვ, + 8 ვ |
| Vgs th - Tensión umbral entre Puerta y Fuente: | 400 მვ |
| Qg - Carga de Puerta: | 9 nC |
| მინიმალური ტემპერატურა: | - 55 C |
| მაქსიმალური ტემპერატურა: | + 150 C |
| Dp - Disipación de Potencia: | 500 მვტ |
| მოდო არხი: | გაძლიერება |
| Empaquetado: | რგოლი |
| Empaquetado: | გაჭრა ლენტი |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| კონფიგურაცია: | Მარტოხელა |
| დრო კაიდა: | 10 ნს |
| Transconductancia hacia delante - მინ.: | 13 ს |
| ალტურა: | 1.12 მმ |
| გრძედი: | 2,9 მმ |
| პროდუქტი: | MOSFET მცირე სიგნალი |
| პროდუქტის ტიპი: | MOSFET |
| დაქვემდებარებული დრო: | 10 ნს |
| სერია: | FDN337N |
| Cantidad de Empaque de Fábrica: | 3000 |
| ქვეკატეგორია: | MOSFET-ები |
| ტრანზისტორის ტიპი: | 1 N-არხი |
| ტიპი: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado Típico: | 17 წმ |
| დემორა დემორების დრო: | 4 ns |
| ანჩო: | 1.4 მმ |
| Alias de las Piezas n.º: | FDN337N_NL |
| პესო დე ლა უნიდადი: | 0.001270 უნცია |
♠ ტრანზისტორი - N-არხი, ლოგიკური დონე, გაძლიერების რეჟიმის ველის ეფექტი
SUPERSOT−3 N−არხის ლოგიკური დონის გაუმჯობესების რეჟიმის დენის ველის ეფექტის ტრანზისტორები იწარმოება onsemi-ის საკუთრების, მაღალი უჯრედის სიმკვრივის, DMOS ტექნოლოგიის გამოყენებით.ეს ძალიან მაღალი სიმკვრივის პროცესი განსაკუთრებით მორგებულია იმისთვის, რომ მინიმუმამდე დაიყვანოს მდგომარეობაზე წინააღმდეგობა.ეს მოწყობილობები განსაკუთრებით შეეფერება დაბალი ძაბვის აპლიკაციებს ნოუთბუქ კომპიუტერებში, პორტატულ ტელეფონებში, PCMCIA ბარათებსა და ბატარეაზე მომუშავე სხვა სქემებში, სადაც საჭიროა სწრაფი გადართვა და დაბალი ელექტროენერგიის დაკარგვა ძალიან მცირე კონტურის ზედაპირზე დამაგრების პაკეტში.
• 2.2 A, 30 V
♦ RDS(on) = 0,065 @ VGS = 4,5 ვ
♦ RDS(on) = 0,082 @ VGS = 2,5 ვ
• ინდუსტრიის სტანდარტის მონახაზი SOT−23 ზედაპირული სამონტაჟო პაკეტი საკუთრების SUPERSOT−3 დიზაინის გამოყენებით უმაღლესი თერმული და ელექტრული შესაძლებლობებისთვის
• მაღალი სიმკვრივის უჯრედის დიზაინი უკიდურესად დაბალი RDS-ისთვის (ჩართულია)
• განსაკუთრებული ჩართვის წინააღმდეგობა და DC დენის მაქსიმალური შესაძლებლობა
• ეს მოწყობილობა არ არის Pb−Free და ჰალოგენისგან თავისუფალი
