IDW30G120C5BFKSA1 Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | ინფინეონი |
| Პროდუქტის კატეგორია: | Schottky დიოდები და გამსწორებლები |
| RoHS: | დეტალები |
| პროდუქტი: | Schottky სილიკონის კარბიდის დიოდები |
| დამონტაჟების სტილი: | ხვრელის მეშვეობით |
| პაკეტი / ქეისი: | TO-247-3 |
| კონფიგურაცია: | ორმაგი ანოდი საერთო კათოდი |
| ტექნოლოგია: | SiC |
| თუ - წინსვლის დენი: | 30 ა |
| Vrrm - განმეორებადი უკუ ძაბვა: | 1.2 კვ |
| Vf - წინა ძაბვა: | 1.4 ვ |
| Ifsm - წინ გადასვლის დენი: | 240 ა |
| Ir - უკუ დენი: | 17 uA |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 55 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 175 C |
| სერია: | IDW30G120C5 |
| შეფუთვა: | მილი |
| ბრენდი: | Infineon ტექნოლოგიები |
| Pd - დენის გაფრქვევა: | 332 ვ |
| Პროდუქტის ტიპი: | Schottky დიოდები და გამსწორებლები |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 240 |
| ქვეკატეგორია: | დიოდები და გამსწორებლები |
| სავაჭრო სახელი: | CoolSiC |
| Vr - უკუ ძაბვა: | 1.2 კვ |
| ნაწილი # მეტსახელები: | IDW30G120C5B SP001123716 |
| Წონის ერთეული: | 1.340411 უნცია |
·რევოლუციური ნახევარგამტარული მასალა - სილიკონის კარბიდი
·არ არის საპირისპირო აღდგენის მიმდინარეობა / არ არის წინა აღდგენა
·ტემპერატურის დამოუკიდებელი გადართვის ქცევა
·დაბალი წინა ძაბვა მაღალ სამუშაო ტემპერატურაზეც კი
·მჭიდრო ძაბვის განაწილება
·შესანიშნავი თერმული შესრულება
·გახანგრძლივებული დენის შესაძლებლობა
·მითითებული dv/dt უხეშობა
·კვალიფიცირებული JEDEC1-ის მიხედვით) სამიზნე აპლიკაციებისთვის
·ტყვიის გარეშე მოოქროვილი;RoHS თავსებადი
·მზის ინვერტორები
·უწყვეტი კვების წყაროები
·ძრავის დისკები
·სიმძლავრის ფაქტორის კორექცია
