IKW50N65EH5XKSA1 IGBT ტრანზისტორი INDUSTRY 14
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | ინფინეონი |
| Პროდუქტის კატეგორია: | IGBT ტრანზისტორები |
| ტექნოლოგია: | Si |
| პაკეტი / ქეისი: | TO-247-3 |
| დამონტაჟების სტილი: | ხვრელის მეშვეობით |
| კონფიგურაცია: | Მარტოხელა |
| კოლექტორი- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 ვ |
| კოლექტორ-ემიტერის გაჯერების ძაბვა: | 1.65 ვ |
| კარიბჭის ემიტერის მაქსიმალური ძაბვა: | 20 ვ |
| უწყვეტი კოლექციონერი დენი 25 C-ზე: | 80 ა |
| Pd - დენის გაფრქვევა: | 275 ვ |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 40 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 175 C |
| სერია: | Trenchstop IGBT5 |
| შეფუთვა: | მილი |
| ბრენდი: | Infineon ტექნოლოგიები |
| კარიბჭე-ემიტერის გაჟონვის დენი: | 100 ნA |
| სიმაღლე: | 20,7 მმ |
| სიგრძე: | 15,87 მმ |
| Პროდუქტის ტიპი: | IGBT ტრანზისტორები |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 240 |
| ქვეკატეგორია: | IGBT-ები |
| სავაჭრო სახელი: | თხრილის გაჩერება |
| სიგანე: | 5,31 მმ |
| ნაწილი # მეტსახელები: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Წონის ერთეული: | 0.213383 უნცია |
HighspeedH5ტექნოლოგიის შეთავაზება
•კლასში საუკეთესო ეფექტურობა მყარი გადართვისა და რეზონანსული ტოპოლოგიებით
• წინა თაობის IGBT-ების დანამატის ჩანაცვლება
•650V ავარიული ძაბვა
•LowgatechargeQG
•IGBTკოშეფუთული სრულფასოვანი RAPID1 დგას რბილი პარალელურად დიოდით
•შეერთების მაქსიმალური ტემპერატურა175°C
•კვალიფიცირებული JEDEC-ის მიხედვით სამიზნე აპლიკაციებისთვის
•Pb-თავისუფლად მოფენა;RoHScompliant
•CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
• უწყვეტი დენის წყაროები
• მზის გადამყვანები
• შედუღების გადამყვანები
•სიხშირის გადამრთველი შუა-მაღალი დიაპაზონი
