VNLD5090TR-E კარიბჭის დრაივერები OMNIFET III სრულად იცავს Lo-side drvr-ს
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | STMicroelectronics |
| Პროდუქტის კატეგორია: | კარიბჭის მძღოლები |
| RoHS: | დეტალები |
| პროდუქტი: | დრაივერის IC-ები - სხვადასხვა |
| ტიპი: | დაბალი მხარე |
| დამონტაჟების სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი/ქეისი: | SOIC-8 |
| მძღოლების რაოდენობა: | 1 მძღოლი |
| შედეგების რაოდენობა: | 2 გამომავალი |
| გამომავალი დენი: | 18 ა |
| მიწოდების ძაბვა - მინ: | 4.5 ვ |
| მიწოდების ძაბვა - მაქს: | 5.5 ვ |
| აწევის დრო: | 10 ჩვენ |
| შემოდგომის დრო: | 2.7 ჩვენ |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 40 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 150 C |
| სერია: | VNLD5090-E |
| კვალიფიკაცია: | AEC-Q100 |
| შეფუთვა: | რგოლი |
| შეფუთვა: | გაჭრა ლენტი |
| შეფუთვა: | MouseReel |
| ბრენდი: | STMicroelectronics |
| გამორთვის დაყოვნების მაქსიმალური დრო: | 3.4 ჩვენ |
| ჩართვის დაყოვნების მაქსიმალური დრო: | 8 ჩვენ |
| ტენიანობის მგრძნობიარე: | დიახ |
| ოპერაციული მიწოდების დენი: | 30 uA |
| Პროდუქტის ტიპი: | კარიბჭის მძღოლები |
| Rds ჩართულია - გადინების წყაროს წინააღმდეგობა: | 90 mOhms |
| Გათიშვა: | Გათიშვა |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 2500 |
| ქვეკატეგორია: | PMIC - ენერგიის მართვის IC-ები |
| ტექნოლოგია: | Si |
| Წონის ერთეული: | 150 მგ |
♠ OMNIFET III სრულად დაცული დაბალი მხარის დრაივერი საავტომობილო აპლიკაციებისთვის
VNLD5090-E არის მონოლითური მოწყობილობა, რომელიც დამზადებულია STMicroelectronics® VIPower® ტექნოლოგიის გამოყენებით, რომელიც განკუთვნილია რეზისტენტული ან ინდუქციური დატვირთვებისთვის ბატარეასთან დაკავშირებული ერთი მხარით.ჩამონტაჟებული თერმული გამორთვა იცავს ჩიპს გადაჭარბებული ტემპერატურისა და მოკლე ჩართვისგან.გამომავალი დენის შეზღუდვა იცავს მოწყობილობას გადატვირთვის პირობებში.ხანგრძლივი გადატვირთვის შემთხვევაში, მოწყობილობა ზღუდავს გაცვეთილ ენერგიას უსაფრთხო დონემდე თერმული გამორთვის ჩარევამდე. თერმული გამორთვა, ავტომატური გადატვირთვით, საშუალებას აძლევს მოწყობილობას აღადგინოს ნორმალური მუშაობა, როგორც კი გაუმართავი მდგომარეობა გაქრება.ინდუქციური დატვირთვების სწრაფი დემაგნიტიზაცია მიიღწევა გამორთვისას.
·AEC-Q100 კვალიფიციური
·სანიაღვრე დენი: 13 ა
·ESD დაცვა
·ზედმეტი ძაბვის დამჭერი
·თერმული გამორთვა
·დენის და სიმძლავრის შეზღუდვა
·ძალიან დაბალი ლოდინის დენი
·ძალიან დაბალი ელექტრომაგნიტური მგრძნობელობა
·2002/95/EC ევროპული დირექტივის შესაბამისად
