SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | ვიშაი |
| Პროდუქტის კატეგორია: | MOSFET |
| RoHS: | დეტალები |
| ტექნოლოგია: | Si |
| დამონტაჟების სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი/ქეისი: | SOIC-8 |
| ტრანზისტორის პოლარობა: | N-არხი |
| არხების რაოდენობა: | 2 არხი |
| Vds - გადინების წყაროს დაშლის ძაბვა: | 60 ვ |
| ID - უწყვეტი გადინების დენი: | 5.3 ა |
| Rds ჩართულია - გადინების წყაროს წინააღმდეგობა: | 58 mOhms |
| Vgs - კარიბჭის წყაროს ძაბვა: | - 20 ვ, + 20 ვ |
| Vgs th - კარიბჭის წყაროს ბარიერი ძაბვა: | 1 ვ |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 55 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 150 C |
| Pd - დენის გაფრქვევა: | 3.1 ვტ |
| არხის რეჟიმი: | გაძლიერება |
| სავაჭრო სახელი: | TrenchFET |
| შეფუთვა: | რგოლი |
| შეფუთვა: | გაჭრა ლენტი |
| შეფუთვა: | MouseReel |
| ბრენდი: | Vishay ნახევარგამტარები |
| კონფიგურაცია: | ორმაგი |
| შემოდგომის დრო: | 10 ნს |
| წინა გამტარობა - მინ: | 15 ს |
| Პროდუქტის ტიპი: | MOSFET |
| აწევის დრო: | 15 ns, 65 ns |
| სერია: | SI9 |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 2500 |
| ქვეკატეგორია: | MOSFET-ები |
| ტრანზისტორი ტიპი: | 2 N-არხი |
| ტიპიური გამორთვის შეფერხების დრო: | 10 ნნ, 15 ნ |
| ჩართვის დაყოვნების ტიპიური დრო: | 15 ns, 20 ns |
| ნაწილი # მეტსახელები: | SI9945BDY-GE3 |
| Წონის ერთეული: | 750 მგ |
• TrenchFET® დენის MOSFET
• LCD ტელევიზორის CCFL ინვერტორი
• ჩატვირთვის გადამრთველი
