SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | ვიშაი |
| Პროდუქტის კატეგორია: | MOSFET |
| RoHS: | დეტალები |
| ტექნოლოგია: | Si |
| დამონტაჟების სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი / ქეისი: | TO-263-3 |
| ტრანზისტორის პოლარობა: | N-არხი |
| არხების რაოდენობა: | 1 არხი |
| Vds - გადინების წყაროს დაშლის ძაბვა: | 60 ვ |
| ID - უწყვეტი გადინების დენი: | 100 ა |
| Rds ჩართულია - გადინების წყაროს წინააღმდეგობა: | 3.2 mOhms |
| Vgs - კარიბჭის წყაროს ძაბვა: | - 20 ვ, + 20 ვ |
| Vgs th - კარიბჭის წყაროს ბარიერი ძაბვა: | 2 ვ |
| Qg - Gate Charge: | 60 ნკ |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 55 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 175 C |
| Pd - დენის გაფრქვევა: | 150 ვტ |
| არხის რეჟიმი: | გაძლიერება |
| სავაჭრო სახელი: | TrenchFET |
| ბრენდი: | ვიშაი / სილიკონიქსი |
| კონფიგურაცია: | Მარტოხელა |
| შემოდგომის დრო: | 7 წმ |
| Პროდუქტის ტიპი: | MOSFET |
| აწევის დრო: | 7 წმ |
| სერია: | SQ |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 800 |
| ქვეკატეგორია: | MOSFET-ები |
| ტიპიური გამორთვის შეფერხების დრო: | 33 წმ |
| ჩართვის დაყოვნების ტიპიური დრო: | 15 წმ |
| Წონის ერთეული: | 0.139332 უნცია |
• TrenchFET® დენის MOSFET
• შეფუთვა დაბალი თერმორეზისტენტობით
• 100% Rg და UIS ტესტირება
• AEC-Q101 კვალიფიციური
