VNS1NV04DPTR-E კარიბჭის დრაივერები OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ პროდუქტის აღწერა
| პროდუქტის ატრიბუტი | ატრიბუტის მნიშვნელობა |
| მწარმოებელი: | STMicroelectronics |
| Პროდუქტის კატეგორია: | კარიბჭის მძღოლები |
| პროდუქტი: | MOSFET კარიბჭის დრაივერები |
| ტიპი: | დაბალი მხარე |
| დამონტაჟების სტილი: | SMD/SMT |
| პაკეტი / ქეისი: | SOIC-8 |
| მძღოლების რაოდენობა: | 2 მძღოლი |
| შედეგების რაოდენობა: | 2 გამომავალი |
| გამომავალი დენი: | 1.7 ა |
| მიწოდების ძაბვა - მაქს: | 24 ვ |
| აწევის დრო: | 500 ns |
| შემოდგომის დრო: | 600 ns |
| მინიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | - 40 C |
| მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა: | + 150 C |
| სერია: | VNS1NV04DP-E |
| კვალიფიკაცია: | AEC-Q100 |
| შეფუთვა: | რგოლი |
| შეფუთვა: | გაჭრა ლენტი |
| შეფუთვა: | MouseReel |
| ბრენდი: | STMicroelectronics |
| ტენიანობის მგრძნობიარე: | დიახ |
| ოპერაციული მიწოდების დენი: | 150 uA |
| Პროდუქტის ტიპი: | კარიბჭის მძღოლები |
| ქარხნული პაკეტის რაოდენობა: | 2500 |
| ქვეკატეგორია: | PMIC - ენერგიის მართვის IC-ები |
| ტექნოლოგია: | Si |
| Წონის ერთეული: | 0.005291 უნცია |
♠ OMNIFET II სრულად ავტომატური დაცული Power MOSFET
VNS1NV04DP-E არის მოწყობილობა, რომელიც ჩამოყალიბებულია ორი მონოლითური OMNIFET II ჩიპებით, რომლებიც განთავსებულია სტანდარტულ SO-8 პაკეტში.OMNIFET II შექმნილია STMicroelectronics VIPower™ M0-3 ტექნოლოგიაში: ისინი განკუთვნილია სტანდარტული სიმძლავრის MOSFET-ების ჩანაცვლებისთვის DC-დან 50KHz-მდე აპლიკაციებიდან.ჩაშენებული თერმული გამორთვა, ხაზოვანი დენის შეზღუდვა და ძაბვის გადაჭარბებული დამჭერი იცავს ჩიპს მკაცრი გარემოში.
ხარვეზის გამოხმაურება შეიძლება გამოვლინდეს შეყვანის პინზე ძაბვის მონიტორინგით.
• ხაზოვანი დენის შეზღუდვა
• თერმული გამორთვა
• მოკლე ჩართვის დაცვა
• ინტეგრირებული დამჭერი
• დაბალი დენი გამოყვანილია შეყვანის პინიდან
• დიაგნოსტიკური გამოხმაურება შეყვანის პინის საშუალებით
• ESD დაცვა
• პირდაპირი წვდომა დენის მოსფეტის ჭიშკართან (ანალოგური მართვა)
• თავსებადია სტანდარტულ დენის მოსფეტთან
• 2002/95/EC ევროპული დირექტივის შესაბამისად
